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VDMOS纯平面工艺就好比我们小时候的土屋，几乎不需要挖地基纯 平面架构特点：成本高，雪崩强，内阻抗大，ESD能力强，属于纯力量型选手。
Trench工艺，俗称潜沟槽工艺，就好比我们农村的楼房，需要挖地基到一定深度，同样的使用面积所需要的地皮少，相比平面工艺，成本略低， 同电压平台，内阻略小，电流大，输出能力强，反之抗冲击能力也更弱，速度与力量的结合。
SGT工艺，俗称深沟槽工艺，就好比现在城市的高楼大厦，需要挖的地基特别深，相比前者，内阻极低，成本极低，电流特别大，属于敏捷型选手，一旦受到外部冲击，很容易挂，特别马达类领域一旦堵转，优先炸管的肯定是SGT。
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SJ超结工艺 结合平面工艺和沟槽工艺的特点主要为高压功率Mos采用，目前主要新能源市场广泛应用，我们熟悉的有光伏逆变器，充电桩，电动汽车，储能等
Trench沟槽工艺 常用于中低压功率MOs，电源，锂电保护，直流电机控制等
SGT 工艺 常用于中低压功率Mos，电机控制电源等多种领域