先提出一个电源指标需求：低噪声、大电流（>=500mA）、高效率，这是一种很常见的设计需求，例如手机中高像素CAM的DVDD电源设计要求就是如此，DCDC电源和传统的LDO（PMOS构成）貌似都无法满足这个需求。
因此，当Iout非常大的时候，必须降低Vin和Vout间的压差，来减小电源的损耗和发热。
在手机、AR等便携式消费电子产品中，LDO的封装通常都是非常小的。传统的PMOS管LDO的过流能力通常在300mA以下，且LDO的drop电压通常也在百mV级别，无论是带载能力、效率、热耗，都无法满足我们文章开头提出的技术指标。
我们再详细研究一下NMOS管LDO的内部框图，其主要也是由MOS管、分压电阻、参考电压电路、误差放大器构成的一个负反馈回路。仔细观察会发现其比PMOS LDO多一个BIAS pin，这是因为NMOS管的导通需要Vgs电压大于0，因此BIAS的电压就需要比Vout电压高，规格书中都会有明确标注。
最后总结一下：超低压差LDO（NMOS管构成）相比传统LDO（PMOS管构成），其输出电流更大，drop电压更小，效率更高（得益于NMOS管的特性），通常用在对噪声、带载能力都有严格要求的场合。但两者的内部环路模块基本一致，分析方法也相同。