mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET 中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。所以mos管可以称为FET的高级形式。mos管常用于切换或放大信号。随着施加的电压量改变电导率的能力可用于放大或切换电子信号。mos管是迄今为止数字电路中最常见的晶体管，因为内存芯片或微处理器中可能包含数十万或数百万个晶体管。由于它们可以由 p 型或 n 型半导体制成，互补的 MOS 晶体管对可用于以CMOS逻辑的形式制造具有非常低功耗的开关电路。在数字和模拟电路中，mos管现在甚至比BJT更常见，下图为mos管的实物图。
N 沟道mos管符号图根据mos管的内部结构，在耗尽型 mos管 中，栅极 (G)、漏极 (D) 和源极 (S) 引脚是物理连接的，而在增强模式下它们是物理分离的，这就是为什么增强模式mos管的符号出现损坏。P 沟道mos管P 沟道mos管称为PMOS，用以下符号表示。
P 沟道mos管电路符号图在可用类型中，N 沟道增强型mos管是最常用的mos管。N 沟道mos管和 P通道mos管之间的主要区别N 沟道mos管和 P沟道mos管之间的主要区别在于，在 N 沟道中，mos管开关将保持打开状态，直到提供栅极电压。当栅极引脚接收到电压时，开关（漏极和源极之间）将关闭，在 P 沟道 mos管中，开关将保持关闭，直到提供栅极电压。
mos管的工作原理
mos管的工作取决于MOS电容，它是源极和漏极之间的氧化层下方的半导体表面。只需分别施加正栅极电压或负栅极电压，即可将其从 p 型反转为 n 型。mos管的主要原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。它的工作原理几乎就像一个开关，设备的功能基于 MOS 电容。MOS电容是MOS管的的主要部分。
mos管的结构图当漏源电压（VDS）连接在漏极和源极之间时，正电压施加到漏极，负电压施加到源极。在这里，漏极的 PN 结是反向偏置的，而源极的 PN 结是正向偏置的。在这个阶段，漏极和源极之间不会有任何电流流动。如果我们将正电压 (VGG ) 施加到栅极端子，由于静电引力，P衬底中的少数电荷载流子（电子）将开始积聚在栅极触点上，从而在两个 n+ 区域之间形成导电桥。在栅极接触处积累的自由电子的数量取决于施加的正电压的强度。施加的电压越高，由于电子积累而形成的 n 沟道宽度越大，这最终会增加电导率，并且漏极电流 (ID ) 将开始在源极和漏极之间流动。当没有电压施加到栅极端子时，除了由于少数电荷载流子而产生的少量电流外，不会有任何电流流动。mos管开始导通的最小电压称为阈值电压。N沟道mos管的构造以N 沟道 mos管为例子来了解mos管工作原理。取一个轻掺杂的P型衬底，其中扩散了两个重掺杂的N型区域，作为源极和漏极。在这两个 N+ 区域之间，发生扩散以形成 N 沟道，连接漏极和源极。
P – 沟道 mos管的构造图P沟道mos管的工作原理当栅极端子在V GG处被赋予比漏源电压V DD负电位时，由于存在 P+ 区域，空穴电流通过扩散的 P 沟道增加，PMOS 工作在增强模式。当栅极端子在V GG处被赋予比漏源电压V DD的正电位时，由于排斥，发生耗尽，因此电流减少。因此 Pmos管在耗尽模式下工作。尽管结构不同，但两种类型的 mos管的工作原理是相似的。因此，随着电压极性的变化，这两种类型都可以在两种模式中使用。
mos管的特性曲线
耗尽型mos管的工作状态耗尽型 mos管通常被称为“开关导通”器件，因为它们通常在栅极端没有偏置电压时处于闭合状态。当我们以正向增加施加到栅极的电压时，沟道宽度将在耗尽模式下增加。这将增加通过沟道的漏极电流 I D。如果施加的栅极电压为负值，则沟道宽度会变小，mos管可能会进入截止区。耗尽型mos管的特性曲线耗尽型mos管晶体管的VI 特性介于漏源电压 (VDS ) 和漏电流 ( ID ) 之间。栅极端子处的少量电压将控制流过通道的电流。在漏极和源极之间形成的沟道将充当良导体，在栅极端子处具有零偏置电压。如果向栅极施加正电压，则沟道宽度和漏极电流会增加，而当我们向栅极施加负电压时，它们会减小。
耗尽型mos管的特性曲线图增强型mos管的工作状态mos管在增强模式下的操作类似于打开开关的操作，只有在栅极端施加正电压（+VGS）并且漏极电流开始流过器件时，它才会开始导通。当偏置电压增加时，沟道宽度和漏极电流会增加。但是，如果施加的偏置电压为零或负，则晶体管本身将保持在关闭状态。增强型 mos管的特性曲线增强型 mos管的 VI 特性在漏极电流 (I D ) 和漏源电压 (V DS )之间绘制。VI 特性分为三个不同的区域，即欧姆区、饱和区和截止区。截止区域是mos管将处于关闭状态的区域，其中施加的偏置电压为零。当施加偏置电压时，mos管缓慢地向导通模式移动，并且在欧姆区发生电导率的缓慢增加。最后，饱和区是不断施加正电压且mos管将保持导通状态的区域。
增强型 mos管的特性曲线图确保mos管在承载选定漏极电流时保持“导通”所需的最小导通状态，栅极电压可以从上面的 VI 传递曲线确定。当VIN为高电平或等于VDD时，mos管Q 点沿负载线移动到A点。由于沟道电阻的减小，漏极电流I D增加到其最大值。ID成为独立于VDD的常数值，并且仅取决于VGS。因此，晶体管的行为就像一个闭合的开关，但由于其RDS(on)值，通道导通电阻不会完全降低到零，而是变得非常小。同样，当VIN为低电平或降至零时，mos管Q点沿负载线从 A 点移动到 B 点。通道电阻非常高，因此晶体管就像开路一样，没有电流流过通道。