1. MOS管导通条件
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。
开关只有两种状态通和断，开关电路用于数字电路时，输出电位接近0V时表示0，输出电位接近电源电压时表示1。
2. MOS管导通过程
导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
1. t0-t1：Cgs开始充电，栅极电压还没有到达Vgs(th)，导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
2. t1-t2：GS间电压到达Vgs(th)，DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS电流增加到ID, Cgs继续充电，Vgs由Vgs(th)指数增长到Va。
3. t2-t3：MOSFET的DS电压降至与Vgs相同，产生Millier效应，Cgd电容大大增加，栅极电流持续流过，由于Cgd电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs的充电,从而使得Vgs近乎水平状态，Cgd电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
4. t3-t4：至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压，Millier效应影响变小，Cgd电容变小并和Cgs电容一起由外部驱动电压充电, Cgs电容的电压上升,至t4时刻为止.此时Cgs电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
