在返修问题中，涉及半导体返修器件的失效分析FA（Failure Analysis）方法，主要有四个步骤：EVI → O/S → X-ray → Decap。半导体器件的原厂的失效分析报告都是按照这四个步骤来的。
第一步：EVI（External Visual Inspection）
目的：
用肉眼+高倍显微镜锁定“看得见”的缺陷，避免后续破坏把证据洗掉，是失效分析的无损“第一刀”。
方法：
用高倍数的显微镜，及高亮度的LED照明，仔细观察封装裂纹、烧痕、污染、爬锡、缺件。
关键部位拍照留档，标尺 0.1 mm，建立“失效外观数据库”。
对金手指、焊盘做 3D 共聚焦测高度，发现虚焊、桥连。
输出：
带标尺高清图 + 缺陷位置示意图，作为后续工序的“地图”。
第二步：X-ray（2D/3D 透视）
目的：
在“零破坏”条件下，透视封装内部缺陷。
方法：
2D X-ray：1–2 μm 分辨率，10 秒成像，先看金线断、焊球空洞。
3D CT：0.5 μm voxel，重建任意截面，定位 Die Crack、桥接、内层短路。
扫描参数：电压 90 kV、电流 100 μA，铜厚>35 μm 时换 130 kV。
输出：
透视图 + 3D 切片动画，为第四步“开封位置”画好靶点。
第三步：O/S（Open/Short Electrical Test）
目的：
把“外观正常”的器件拉回电气世界，用数据说话。
方法：
万用表/飞针机先扫电源-地、IO-IO阻抗，<1 Ω判短路，>10 MΩ判开路。
用曲线 tracer 画 I-V 曲线，对比良品，差异>20 % 标红。
温飘测试：25 °C ↔ 85 °C 循环，抓“热开路”或“热短路”。
输出：
Fail log + 对比曲线，直接告诉第三步“该看内部哪条线路”。
第四步：Decap（Decapsulation 开封）
目的：
揭开盖子，让芯片裸Die接受“终极审判”。
方法：
塑封器件：发烟硝酸 230 °C 浸泡 5–10 min；金属/陶瓷盖用激光或等离子体。
开封后 30 分钟内拍照，防止二次氧化。
后续可接 SEM/EDX、OBIRCH、FIB 截面，完成根因定位。
输出：
开封前后对比+Die 表面高倍图+失效机理结论。
小结
EVI(External Visual Inspection)看外观，X-ray指内部，O/S(Open/Short Electrical test)给电证，Decap(Decapsulation)见真章——四步走完，失效不再是“玄学”，而是可复制、可预防的数据资产。
