本文《Advanced Interconnect Technologies for Cu Extension and Beyond》作者是来自IBM半导体部门的Koichi Motoyama。文章主要探讨了铜（Cu）互连技术的扩展及其面临的挑战，以及后铜（Post-Cu）替代金属互连技术的潜在解决方案。内容分为两个主要部分：首先是关于铜互连技术的扩展，详细讨论了在铜互连技术缩放过程中遇到的三大主要挑战——铜填充缺陷、线电阻增加和电迁移（EM）性能退化，并介绍了相应的关键解决方法。其次是关于后铜替代金属互连技术，探讨了可能的替代金属候选者，如铑（Rh）、铱（Ir）、钼（Mo）、钴（Co）、镍（Ni）和钌（Ru），并分析了这些材料在集成方案中的挑战和优势，特别是减法集成方案和其在实现空气隙方面的潜力。文章还介绍了行业趋势和顶通孔钌互连技术的相关研究。总体而言，文章总结了铜互连技术的现状和未来发展方向，强调了在特征尺寸不断缩小的情况下，如何通过技术创新来维持和提升互连性能。
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