MOSFET数据表中关于雪崩能量的描述如下
雪崩能量定义为当MOSFET工作在雪崩模式或超过其击穿电压时，它可以承受的能量大小，该值由雪崩电流确定，可通过非钳位感性开关测试完成。因此，当讨论UIS（Unclamped Inductive Switching）电流时，实际上讨论的是雪崩电流；而进行非钳位感性开关测试的目的是确定电流，进而确定会导致MOSFET失效的雪崩能量。
这些值高度依赖于测试参数，具体来说，依赖于测试期间使用的电感值；如上图所示，是在电感L=0.1mH下测试的；
UIS测试设置：
标准UIS测试由四个阶段组成：
第一阶段是预漏电测试，其中电源会在FET的漏极施加偏压，此时FET处于关断状态，它会阻止电源电压，而不会流过FET的任何极端漏电流；
第二阶段称之为雪崩电流上升阶段，此时FET导通使得漏极电压下降，流过电感的电流会以恒定的di/dt稳步提高，此时再对电感充电；
第三阶段为雪崩测试阶段，关闭栅极电压使得FET关断，这会在电感中产生巨大的di/dt，从而使FET的漏极电压上升到远高于FET击穿电压的水平，因此FET将处于雪崩模式；在该情况下，FET会吸收电感中累积的所有能量；随后执行第四阶段泄露测试时，FET将保持关断状态。
因此，当FET遭遇这种雪崩事件时，会再次测试，确保FET的功能仍然正常，如果功能正常，即表示FET通过了测试。随后做的是重复此过程，每次将UIS电流稳定增大一个等级，直至达到FET在漏电测试中失败的点。
雪崩能量可通过公式Eas=1/2*L*I*I来计算，当增大电感值，会发现使FET发生失效所达到的电流会下降，电感增加会使能量公式中的电流发生偏移，从而使能量值实际增大；因此，有些厂家故意在产品手册上使用更大的电感值，从而人为地提高FET看起来能够在雪崩事件期间处理的能量。
下图是雪崩电流能力于雪崩持续时间的关系
