1. 原理与拓扑
采样电阻串联在电源正极与逆变桥之间。电流信号经差分放大后送入控制器,需处理高共模电压(通常达数百伏),原理图如下:
2. 核心优势
- 安全性与故障检测
可识别负载对地短路(如电机绕组接地故障) - 无地线干扰
避免低边采样的共地噪声问题,尤其适用大功率系统 - 动态范围宽
适用于宽电压范围电机驱动(如48V-800V系统)
3. 技术挑战与解决方案
4. 器件选型标准
- 运放关键参数
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CMRR:直流至1kHz需≥120dB(如AD8228在60Hz时为114dB) -
带宽:≥开关频率的5倍(20kHz系统需100kHz) -
温漂:<±1μV/℃(如OPA196)
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- 电阻要求
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精度:±0.1% 低温漂电阻(如金属箔电阻) -
功率:按计算冗余(50A系统需≥5W)
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二、低边电流采样(Low-Side Current Sensing)
1. 原理与拓扑
采样电阻置于逆变桥下管与地之间,信号直接输入运放,共模电压接近0V,电路原理图如下:
2. 核心优势与局限
3. 实测数据验证
- 精度影响
50A系统中地线干扰导致误差达±2% - 温漂特性
选用NSM2016传感器时,-40℃~125℃误差<±2%
4. 器件选型优化
- 运放选型
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失调电压:<±10μV(如AD8421) -
带宽:1-10MHz(满足高频采样需求)
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- PCB设计要点
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单点接地 + 星型拓扑 -
采样线远离功率回路(间距>3mm)
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三、输出直接电流采样(Phase Current Sensing)
1. 原理与实现
在逆变桥输出端串联采样电阻,直接获取相电流,需多路同步采样,原理图如下:
2. SiC/GaN应用挑战
- 热管理难题
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SiC MOSFET结温波动达134.3℃(10kW系统) -
采样电阻热耗散引发温漂(±0.1%/℃)
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- 高频干扰
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100kHz开关噪声导致采样失真(THD增加5-8%)
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3. 创新解决方案
- 热设计优化
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陶瓷基板(AlN) + 强制风冷(热阻↓40%) -
温度补偿算法(温漂误差↓至±0.02%)
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- 信号完整性保障
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LVDS差分传输(CMRR >150dB @1MHz) -
二阶RC滤波 + 磁隔离(延时<10ns)
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