在业界的浪涌防护设计中，除了TVS被动钳位，还有种基于MOS的有源钳位方案，当电压超过阈值时，它像个阀门一样主动开阀泄流，从而将电压钳住。
其部分特性与TVS不同，下面我们先从TVS方案讲起。
TVS钳位方案
TVS，Transient Voltage Suppression，即瞬态电压抑制二极管，TVS反向并联在电路中，当电路正常工作时，处于高阻状态（截止），可以理解为开路；而当有异常高压时，TVS迅速由高阻状态变为低阻状态，用自己的身躯泄放异常高压（自身流过瞬时大电流），把异常高压钳制在后级电路可承受的电压之内，保护后级电路免遭高压击穿。当异常过电压消失后，TVS又恢复为高阻态。
关于TVS的参数解释，可以参考如下文档：
MOS有源钳位方案
除了TVS浪涌防护方案，业界还有种基于MOS的有源钳位方案。
有源钳位，Active Clamp，在这种技术中，MOS作为功率器件，扮演着主动控制的角色，而不是TVS那种被动的角色。
其核心原理是实时监测Vin的电压，一旦超过设定的阈值，立即通过反馈控制，让MOS进入可变电阻区，像打开水龙头一样，耗散过压能量，从而将电压钳位在安全水平。
如下图，是一种较为简洁的有源钳位方案，它通过小功率齐纳二极管来检测过压。在正常情况下，齐纳二极管不导通，MOS也处于摸鱼状态，电路几乎没有漏电流；但如果Vin电压瞬间升高，齐纳二极管将导通，然后控制MOS的栅极电压，使MOS进入可变电阻区。随后MOS耗散过压能量，最终将Vin电压钳位在一个略高于齐纳二极管稳压值的值。
在实践中，我们可以通过齐纳二极管的选型来选择电路的保护电压。
但是，齐纳二极管这种器件稳压值容差较大，不精准。如果需要更为精密的钳位电路，可替换为精密电压基准+比较器方案，它更为精准。
如下图，当Vin因浪涌、感应电压等异常原因而上升，并超过阈值时，比较器动作，随后驱动MOS的栅极，MOS从截止区进入可变电阻区而耗散浪涌能量，其漏源极之间的导通电阻 Rds(on) 受栅极电压控制。
总结
与TVS方案相比，有源钳位方案的设计更复杂、成本更高、速度更慢。
但保护电压更为精准，且处理能量的水平可以做到高于TVS的程度（在设计时，也要对MOS的SOA进行严格评估）。
更重要的一点，在手机防护设计上，有一种巧妙的措施：如下图，可以复用原先的防烧MOS，做成有源钳位一体化器件，从而降低成本，减小布局面积，可谓一举两得。