反向电流阻断和反极性保护-背靠背PMOS

反向电流阻断反向电流是指系统输出端的电压高于输入端的电压,导致电流反向流过系统。来源:MOSFET用于负载切换应用时,体二极管变为正向偏置。当电源从系统断开时,…

屏组件组成和贴合工艺

目录1.1 组成 1.2贴合工艺(电容触摸屏)1.1组成   当前手机屏幕以触摸屏为主,主要由盖板玻璃、触控模组、显示模…

有效降低传导辐射干扰的小技巧

一直以来,设计中的电磁干扰(EMI)问题十分令人头疼,尤其是在汽车领域。为了尽可能的减小电磁干扰,设计人员通常会在设计原理图和绘制布局时,通过降低高di / d…

功率MOS管为何会被烧毁?

MOS在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关…

MOSFET: 雪崩失效

MOSFET的失效机理本文的关键要点・ 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。・ 发生雪崩击穿时,会流过大电流,存…

MOSFET: dV/dt失效

本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是…