读懂datasheet系列-MOSFET各项参数

之前写过几篇关于MOSFET方面的内容,文章链接如下:MOSFET原理详解与参数测试(1)MOSFET原理详解与参数测试(2)MOSFET原理详解与参数测试(3…

MOSFET原理详解与参数测试

前言:大家都知道今年芯片缺货已经持续很久了,电子元器件缺货影响了很多企业,包括各种的MCU、电源IC和基本的元器件,工作进行了大量的MOS的替代测试,结果就是这…

反向电流阻断和反极性保护-背靠背PMOS

反向电流阻断反向电流是指系统输出端的电压高于输入端的电压,导致电流反向流过系统。来源:MOSFET用于负载切换应用时,体二极管变为正向偏置。当电源从系统断开时,…

功率MOS管为何会被烧毁?

MOS在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关…

MOSFET: 雪崩失效

MOSFET的失效机理本文的关键要点・ 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。・ 发生雪崩击穿时,会流过大电流,存…

MOSFET: dV/dt失效

本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是…

如何避免MOSFET常见问题和失效模式

功率 MOSFET 于 20 世纪 70 年代首次推出,并成为世界上应用最广泛的功率晶体管。与双极功率晶体管等老技术相比,它们在线性和开关应用中具有许多优势。这些优势包括极大改进的开关特性、易于并联、没有二次击穿效应以及更宽的安全工作区 (SOA)。MOSFET 属于电压驱动型跨导器件。